FMUSER Originalus naujas SD2931-11 RF galios tranzistorius Didelės galios padidėjimas 20V MOSFET Tranzistorius-RF Tranzistorius-FMUSER FM / TV transliacija „vieno langelio“ tiekėjas

Originalus naujas „FMUSER“ SD galios tranzistorius „SD2931-11“ su dideliu galios padidėjimu 20 V „MOSFET“ tranzistorius Aprašymas: „SD2931-11“ yra aukso spalvos metalizuotas N kanalo MOS lauko efekto RF galios tranzistorius. Elektra identiškas standartiniam SD2931 MOSFET, jis skirtas naudoti 50 V nuolatinės srovės dideliuose signaluose iki 230 MHz. SD2931-11 yra mechaniškai suderinamas su SD2931, tačiau be to, jis siūlo geresnę šiluminę galią (25% mažesnę šiluminę varžą), atstovaudamas geriausiems savo klasės tranzistoriams ISM, kur patikimumas ir tvirtumas yra svarbiausi veiksniai. Savybės: * Aukso metalizacija * Puikus šiluminis stabilumas * Bendras šaltinis

detalė

Ankstesnis:FMUSER Originalus naujas BLF177 RF tranzistorius su dideliu galios padidėjimu 50V MOSFET tranzistorius

Kitas:„FMUSER“ Originalus naujas MRFE6VP5600H RF galios tranzistoriaus galios „MOSFET“ tranzistorius skirtas 600 W FM siųstuvui

Kaina (LTL)	Kiekis (vnt)	Pristatymas (LTL)	Iš viso (LTL)	atsiuntimo metodas	Mokėjimas
108	1	35	143	"DHL
				"DHL

FMUSER Originalus naujas SD2931-11 RF galios tranzistorius Didelės galios padidėjimas 20V MOSFET tranzistorius

Aprašymas:
SD2931-11 yra auksu metalizuotas N-kanalas MOS lauko efekto tranzistorius. Esamas elektriškai identiškas standartiniam SD2931 „MOSFET“, jis skirtas naudoti didelėse „50 V DC“ signalo programos iki 230 MHz. SD2931-11 yra mechaniškai suderinamas su SD2931, tačiau be to, siūlo geresnį šilumą galimybė (25% mažesnė šiluminė varža), atstovauja geriausiiems ISM tranzistoriams programos, kur yra patikimumas ir tvirtumas kritiniai veiksniai.

Funkcijos:
* Aukso metalizavimas
* Puikus terminis stabilumas
* Įprasta šaltinio konfigūracija
* POUT = 150 W min. su 14 dB padidinti @ 175MHz
* Termiškai patobulinta pakuotė apatinei
* sankryžų temperatūra
* GFS ir VGS pažymėti vienete

Specifikacija:

* Serija: SD2931
* Produktų kategorija: RF MOSFET tranzistoriai
* Tranzistoriaus poliškumas: N-kanalas
* Technologija: Si
* Id - nuolatinė išleidimo srovė: 20 A
* Vds - nutekėjimo šaltinio įtampa: 125 V
* Pelnas: 15 dB
* Išėjimo galia: 150 W
* Minimali darbinė temperatūra: - 65 C
* Maksimali darbinė temperatūra: + 200 C
* Montavimo stilius: Varžtas
* Pakuotė: biri
* Konfigūracija: vienas dvigubas šaltinis
* Aukštis: 7.11 mm (maks.)
* Ilgis: 24.89 mm (maks.)
* Darbinis dažnis: 230 MHz
* Plotis: 12.83 mm (maks.)
* Kanalų režimas: patobulinimas
* Pd - galios paskirstymas: 389 W
* Vgs - vartų šaltinio įtampa: 20 V