1 vnt. „FMUSER“ originalus naujas MRF317 RF TRANZISTORIUS, PLAŠTOS RAIDĖS TRANSPORTO TRISTISTORIS-RF tranzistorius-FMUSER FM / TV transliacijos vieno langelio tiekėjas

FMUSER 1vnt Originalus naujas MRF317 RF TRANZISTORIUS, PLAŠTOS DAŽNIO RF MAITINIMO TRANZISTORIUS Aprašymas: Suprojektuotas visų pirma plačiajuosčio didelio signalo išėjimo stiprintuvo pakopoms 30 MHz dažnių diapazone. Garantuotas veikimas esant 200 MHz, 150 Vdc išėjimo galiai 28 W Mažiausias pelnas = 100 dB BuiltIn Tinklo tinklas plačiajuosčio ryšio veikimui 9.0% išbandytas dėl apkrovos neatitikimo visuose fazių kampuose su 100: 30 VSWR aukso metalizavimo sistema, užtikrinančia aukštą patikimumą Didelio išėjimo sodrumo galia idealiai tinka „Carrier / 1 W Peak AM“ stiprintuvo paslaugoms garantuotas našumas plačiajuosčio ryšio bandymo įrenginyje MAKSIMALIAUSI ĮVERTINIMAI Reitingas KolektoriusEmiterio įtampos kolektoriusBazės įtampos emitterisBazės įtampos kolektoriaus srovė Nuolatinė kolektoriaus srovės viršūnė (120 sekundžių

detalė

Ankstesnis:FMUSER 1vnt Originalus naujas MRF6VP3450H šoninis N kanalo plačiajuosčio radijo dažnio radijo dažnio MOSFET tranzistorius

Kitas:FMUSER 1vnt Originalus naujas RD70HVF1 RF TRANZISTORIUS

Kaina (LTL)	Kiekis (vnt)	Pristatymas (LTL)	Iš viso (LTL)	atsiuntimo metodas	Mokėjimas
59	1	0	59	oro pašto pristatymo
				oro pašto pristatymo

FMUSER 1vnt Originalus Naujas MRF317 RF TRANZISTORIUS, PLAŠTOS juostos RF MAITINIMO TRANZISTORIUS

Aprašymas:
Suprojektuotas visų pirma plačiajuosčio didelio signalo išėjimo stiprintuvo pakopoms 30 MHz dažnių diapazone. Garantuotas veikimas esant 200 MHz, 150 Vdc išėjimo galiai 28 W Mažiausias pelnas = 100 dB BuiltIn Tinklo tinklas plačiajuosčio ryšio veikimui 9.0% išbandytas dėl apkrovos neatitikimo visuose fazių kampuose su 100: 30 VSWR aukso metalizavimo sistema, užtikrinančia aukštą patikimumą Didelio išėjimo sodrumo galia idealiai tinka „Carrier / 1 W Peak AM“ stiprintuvo paslaugoms garantuotas našumas plačiajuosčio ryšio bandymo įrenginyje MAKSIMALIAUSI ĮVERTINIMAI
Reitingas KolektoriusEmiterio įtampos kolektoriusBazės įtampos skleidėjasBazės įtampos kolektoriaus srovė Nuolatinė kolektoriaus srovės viršūnė (10 sekundžių) Bendras įrenginio išsisklaidymas 25 ° C (1) Nukrypimas viršija 25 ° C Laikymo temperatūros diapazonas Simbolis VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg vertė iki +150 vieneto Vdc ADc W W / ° C ° C
Būdinga šiluminė varža, jungtis su korpuso simboliu RJC Maks. 0.65 vieneto ° C / W

Specifikacijos:
●Produkto savybė Atributo vertė Ieškoti panašių
●Gamintojas: FMUSER
●Produkto kategorija: RF bipoliniai tranzistoriai
● Gamintojas: FMUSER
●Produkto tipas: RF bipoliniai tranzistoriai

●Subkategorija: Tranzistoriai

Funkcijos:
●ELEKTROS CHARAKTERISTIKOS: (TC = 25 ° C, jei nenurodyta kitaip.)
●„CommonEmitter“ stiprintuvo galios padidėjimas: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc)
●Kolektoriaus efektyvumas: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Apkrovos neatitikimas (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 visi fazės kampai)
●GPE neišeina išėjimo galia dB%